Descriptif disponible en anglais.

Résumé:
Les quantum dots colloïdaux (CQDs) sont de nouveaux briques de base pour la fabrication de capteurs d'images avec une détection de lumière accordable à haute performance dans la gamme de longueurs d'onde SWIR. Cependant ils sont actuellement limités par l'approche utilisée pour l’intégration avec des circuits intégrés et la présence d'éléments réglementés tels que le Pb. Une hétérojonction silicium-QD impliquant des QDs III-V sans Pb est nécessaire pour permettre de nouvelles applications grâce à une intégration plus facile, un meilleur rapport signal sur bruit et une meilleure fiabilité. Les propriétés fondamentales des hétérojonctions Si/Pb-free QD seront étudiées et des photodiodes fonctionnelles seront fabriquées. La passivation de l'interface sera optimisée par la fonctionnalisation chimique du silicium et des QDs, afin d’améliorer les performances et la fiabilité des photodiodes.​​